基于超快激光的GaN基LED表面粗化关键技术研究-激光基地

发表时间：2021年06月18日

基于超快激光的GaN基LED表面粗化关键技术研究

浙江省自然科学基金项目

重点探索 LED 表面结构尺寸和质量对出射光提取效率的影响规律，以及超快激光束时空特性（波长、脉宽、单脉冲能量、入射角、偏振特性等）对 LED 出光面粗化后微结构刻蚀深宽尺寸、表面粗糙度、微结构精度和近表面区材料物理化学特性的影响规律，掌握超快激光粗化 LED 出光面的工艺机理、调控方法，建立粗化后微结构表面下出射光的逸出模型。本项目得完成将为高效率 GaN 基LED 规模化生产提供一项重要的技术支撑。